钛靶材、靶块
| 产品名称 | 钛及钛合金靶块，钛饼 |
| 牌号/材质 | TA1，TA2，TA3，TC4(Ti6AL4V)，GR1，GR2，GR3，GR5( Ti6AL4V) |
| 标准 | 钛圆靶 ：技术条件：符合GB/T2695-1996，ASTMB348-97 钛板靶 ：技术条件：符合GB/T3621-94，ASTM B265-93 |
| 规格 | 圆靶：常用规格：60/65/95/100*30/32/40/45mm
板靶：(8-25)mm * (150-300) mm * (1000-2500)mm 管靶： 70mm * 7mm/10mm |
| 表面 | 车光，可加螺纹 |
| 特性 | 重量轻，优异的抗腐蚀性，防腐性，强度高，耐热性好，延展性好，无毒性，无磁性，优良的机械强度等。 |
| 状态 | 退火态（M） 热加工状态（R） 冷加工状态（Y）(退火，超生波探伤) |
| 应用 | 用于半导体分离器件、平面显示器、储存器电极薄膜、溅射镀膜、工件表面涂层，玻璃镀膜工业 |
高纯钛靶
钛铝（Ti-Al）合金靶材
普森可提供生产服务的其他合金材料溅射靶材：
- 镍合金靶材：
镍铝（Ni-Al）、镍铬（Ni-Cr）、镍铬硅（Ni-Cr-Si）、镍铁（Ni-Fe）、镍铌钛（Ni-Nb-Ti）、镍钛（Ni-Ti）、镍钒（Ni-V）
- 锆合金靶材:
锆铝（Zr-Al）、锆铁（Zr-Fe）、锆铌（Zr-Nb）、锆镍（Zr-Ni）、锆钛（Zr-Ti）、锆钇（Zr-Y）
靶材小知识：
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有殊要求。
密度
为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量。对于同种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
扫码添加客服微信
